محققانی در فنلاند برای اولین بار موفق به ساخت حافظه‏های مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانولوله‏ای شده‏اند؛ این حافظه‏ها دارای سرعت عملیاتی بالای 100 نانوثانیه (105 برابر سرعت بهترین افزاره‏های نانولوله‏ای قبلی) هستند، که میزان قابل رقابت با حافظه‏های فلش مبتنی بر سیلیکون تجاری با زمان‏های نوشتن و پاک کردن بیش از 100 میکرو ثانیه است.
پایوی تورما، یکی از این محققان، گفت: «نتایج ما بسیار حیرت آور است، زیرا این روش برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی بهینه نشده است یا همانند روش ساخت حافظه‏ی فلش تجاری توسعه نیافته است. دیگر یافته‏ی جالب در این کار بادوام بودن این حافظه‏های نانولوله‏ای است که می‏توانند برای بیش از 104 چرخه عمل کنند. این طول عمر اغلب برای حافظه‏های فلش است.

این محققان در ساخت حافظه‏ی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله‏‏ی کربنی تک‏جداره (CNT- FET) خود، ابتدا با استفاده از ترسیم لایه‏ی اتمی یک لایه‏ی HfO2 را روی نوک ویفر سیلیکونی آلاییده‏ای رشد دادند که به عنوان یک گیت پشتیبانی نیز عمل می‏کرد، سپس این محققان نانولوله‏ها را از یک سوسپانسیون روی این لایه پخش کردند و آنها را با کمک یک میکروسکوپ نیروی اتمی با دقت در یک ماتریس نشانگر هم‏جهت از پیش تعریف شده، قرار دادند. در مرحله‏ی بعدی نانولوله‏ها با استفاده از لیتوگرافی پرتوی الکترونی به الکترودهای پلاتین متصل و نهایتا لایه‏ی دیگری از  روی نوک این افزاره ترسیب شد که به عنوان یک لایه غیر فعال‏ساز برای کاهش اثرات سطحی عمل می‏کرد.
تورما گفت: «سرعت عملیاتی بسیار بالاست که احتمالاً ناشی از خواص ترکیبی نانولوله‏های کربنی ودی الکترنیک   است. خواص الکتریکی نانولوله‏های کربنی برای عملیات بسیار سریع، خیلی مناسب است. نانولوله‏ها نسبت به محیط الکتریکی پیرامون خود بسیار حساس هستند. دی‏الکتریک گیت  ، دارای نقایص ساختاری است که می‏توانند به‏طور موثری با حامل‏های بار در نانولوله‏های کربنی شارژ یا تخلیه شوند.
اگر چه این حافظه‏ها در درایوهای سخت حافظه‏ی فلش نیز کاربرد دارند؛ با توجه به اینکه نیاز چندانی به ولتاژهای عملیاتی ندارند، همچنین نانومقیاس بودن اجزایشان (که این امکان را می‏دهد تا در مساحت کوچکی بسیار فشرده شوند) برای استفاده در افزاره‏های قابل حمل از قبیل درایوهای حافظه‏ی USB, PDA، لپتاپ‏ها و گوشی‏های تلفن همراه مناسب‏ترند، ساختار کنونی هنوز برای تولید انبوه مناسب نیست؛ زیرا در آن از گیت‏های سراسری استفاده می‏شود، در حالی که این مشکل با استفاده از یک ساختار گیت موضعی قابل حل است. این راه‏حل همچنین می‏تواند منجر به سازگاری فرایند ساخت این افزاره با فرآیند ساخت الکترونیک سیلیکونی مرسوم شود. چالش دیگر موجود در این زمینه‏ خواص الکتریکی نانوله‏های کربنی و مکانشان روی تراشه است که باید بهتر کنترل شوند.
تورما گفت: «به دلیل اینکه سرعت این افزاره‏ها ممکن است از طریق دستگاه اندازه‏گیری‏مان محدود شود، ما علاقه‏مندیم تا محدودیت‏ ذاتی سرعت این حافظه‏های نانولوله‏ای را بررسی کنیم.»
نتایج این تحقیق در مجله‏ی Nano Letters منتشر شده است.